Page 106 - 《橡塑技术与装备》2026年3期
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橡塑技术与装备
            HINA R&P  TECHNOLOGY  AND EQUIPMENT



             直放置在试样中心,烧蚀过程持续 20  s。表征复合材
             料耐烧蚀性能的主要参数为质量烧蚀率(MAR)和线
             性烧蚀率(LAR),定义如下 :
                                  MAR=(m 1 -m 2 )/t                         (4)
                                    LAR=(d 1 -d 2 )/t                         (5)
                 其中  m 1 和 d 1 为测试前样品的初始质量和厚度,
             m 2 和 d 2 为烧蚀后样品的质量和最小厚度,t 为实验时
             间。
                 采用 JSM-6380 型扫描电子显微镜对烧蚀样品碳
             层截面进行观察。


             2 结果与讨论                                              图 1 KH550 改性前后 mKNFs SiO 2 的 FTIR 谱图
                                                                                           @
                                  的表征与性能测试
                                                                                              @
             2.1 KKNFs@SiO 2                                       图 2 为 KH550 改性前后 mKNFs SiO 的热重分析
                                          @
                 图 1 为 KH550 改性前后 KNFs SiO 2 的 FTIR 光谱,                             @
                                                               图,从图中可见 KKNFs SiO 2 的分解分为三个阶段。
             从图中可见,未改性的 mKNFs SiO 2 在 3 300、1 645                                            @
                                       @
                                                               第 一阶 段在 220  ℃ 以下,KKNFs SiO 2 失 重略 高于
             和 1  536  cm -1  处出现峰,分别对应于酰胺基团的 N—                      @
                                                               mKNFs SiO 2 ,这可能是由于反应中 KH550 未缩合的
             H 伸缩振动、 C=O 伸缩振动和 N—H 弯曲振动。此外,
                                                               硅羟基进一步缩合脱水以及 KH550 氨基端吸附的少量
             1  508 和 1  306  cm -1  处的峰分别归属于芳环的伸缩振            结合水的分解。第二阶段在 370~500  ℃,与 mKNFs              @
             动和 Ph-N 振动。在 1  092  cm   -1  处出现与 Si—O—Si
                                                               SiO 2 相比,由于 KH550 中引入了更多烷基链段,因
             的不对称伸缩振动相关的峰,来源于 TEOS 成功水解
                                                               此本阶段热分解速率加快(如图 2(b) 所示),导致残
                                      @
             缩合生成的 SiO 2 。在 KKNFs SiO 2 中,在 1 590 cm     -1
                                                               重有所降低,然而与未改性的 KNFs 相比仍有明显提
             附近重新出现伯胺 N—H 伸缩振动峰,同时在 3  315
                                                               高。第三阶段在 540~700  ℃,这主要归因于 PPTA 的
             cm -1  处出现代表伯胺的较强尖峰,表明 KH550 成功                                              [8]
                                                               热解。根据文献中报道的公式                计算得到 KH550 的
                          @
             接枝在 mKNFs SiO 2 上。                                                       @
                                                               接枝率为 14.24%。KKNFs SiO 2 最大热分解温度达到


















                                                     @
                                                                  @
                                    图 2 KNFs、mKNFs SiO 2 和 KKNFs SiO 2 的 TG,DTG 曲线
                                                                                             @
                                                                                 @
                                  @
             了 610.2  ℃,比 mKNFs SiO 2 提高了 3.9  ℃。这是由           表 2  KNFs、mKNFs SiO 2 和 KKNFs SiO 2 的热分解数据
             于高温下 KH550 的热解会形成炭层的同时自缩聚生成                                        T 5 /℃  T 10 /℃  T max /℃  R 800 /%
                                                                     KNFs       541.7  562.8   584.7   39.29
             更多难分解的 Si—O—Si 陶瓷结构,包覆在纳米纤维                          mKNFs SiO 2   275.8  430.3   606.3   74.64
                                                                       @
                                                                       @        198.2  371.8   610.2   64.01
             表面阻碍热量传递,延后 KNFs 在高温下的裂解。                            KKNFs SiO 2
                                                                                                         3
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